Page 20 - 電路板季刊第109期

18 專業技術 先進封裝與銅銅對接(2) Advanced Package

2.16 ΋ආSiPӻ୕܆ༀၾCoWoS-Sݴ೻୚ື(7)
2.16 先進SIP系統封裝與CoWoS-S流程細節(7)
封
裝
與
統
先
進
系
細
節
流
程
Hybrid Bonding
從中列兩圖可見到先將各頂晶如2.12節的方式組成共
從中列兩圖可見到先將各頂晶如2.12節的方式組成共乘，然
乘，然後在玻璃板支持下一併覆焊到底圓上，而共乘區之間 無需底膠
後在玻璃板支持下逐一覆焊到底圓上，而共乘區之間隔即
可成為共乘晶片的扇出接口用地。右下圖為頂晶與底圓經
隔即可成為共乘晶片的扇出接口用地。右下圖為頂晶與底圓
C4焊料所焊接的互連接口，左下兩圖即為熔合互連前的上
經C4焊料所焊接的互連接口，左下兩圖即為熔合互連前的上 混合鍵合的銅銅對接
下接口銅柱與焊帽。為了減少焊料導電不良容易發熱與排
除填底膠的工程，未
下接口銅柱與焊帽。為了減少 將共乘
來高單價的CoWoS-S版
銲料導電不良容易發熱與排除
本也許會採取如右上圖
填底膠的工程，未來高單價的 頂晶共乘區
所示高難度的銅銅對
接，對迅猛發展的AI與
CoWoS-S版本也許會採取如 頂晶共乘區
HPC將可更強化其等性 頂晶共乘區
右上圖所示高難度的銅銅對 頂晶共乘區
能，且良率改善單價
接，對迅猛發展的AI與HPC
下降出貨會更多。
將可更強
頂片覆焊底圓時的晶臉線路與μBump微凸塊接口
化其等性
能，未來
良率改善
填底膠 填底膠 填底膠 填底膠 填底膠 填底膠 填底膠
單價下降 C4銲料 上下銅柱 40nm 40nm 40nm 40nm
中間C4
稱C2 Bump
時出貨會
更多。 底圓的晶臉與接口
2.17 ΋ආSiPӻ୕܆ༀၾCoWoS-Sݴ೻୚ື(8)
右二電鏡黑白圖及下列光鏡彩圖均為輝達2024 AI伺服器厚大板上所安裝4nm的
2.17 先進SIP系統封裝與CoWoS-S流程細節(8)
裝
封
細
節
程
與
流
統
進
先
系
H100高階繪圖晶片模塊，此項CoWoS-S封裝用的CoW月產僅10萬片(單價5000美
右二電競黑白圖及下列光鏡彩圖均為輝達2024 AI伺服器厚大板上所安裝4nm的H100高階
元)，輝達兩項產品H100加上7nm的A100竟
繪圖晶片模塊，此項CoWoS-S封裝用CoW的月產10
萬片(單價5000美元)，輝達兩項產品H100加上7nm
占了60%之多，造成AI模塊封裝的大塞車，雖
的A100竟占了60%之多，造成AI模塊封裝的大塞車
有聯電及矽品的協助仍然供不應求甚多。從所 ，
雖有聯電及矽品的協助仍然供不應求甚多。
列三圖均可看到學界業界都把矽中介層與有
從所列三圖均可看到學界業界都把矽中介層與有
機載板之間的Sn/Cu凸塊，長期誤認為是C4
機載板之間的Sn/Cu凸塊，長期誤認為是C4 Bump；
左圖最下筆者所加三彩圖，對比之下即可得知產
Bump；左圖最下筆者所加三彩圖，對比之下
線以外的專家們所知真相不多了。
即可得知產線以外的專家們所知真相不多了。
C4 高鉛
高鉛
C4 微凸塊 微凸塊 C4
矽通孔
矽中介層 矽中介層 矽中介層
CoWoS-S
此處銲 65nm 矽中介層 65nm
錫銅合 錫銅合 料是錫
此處銲
料是錫
金銲料 金銲料 銅而非
C4高鉛
銅而非
C4高鉛
此處並非
高鉛微凸塊
而另是
錫銅合金凸塊
黑色是鉛白色是錫
黑色是鉛白色是錫