Page 16 - 電路板季刊第109期

14 專業技術 先進封裝與銅銅對接(2) Advanced Package

2.8 ΋ආ2.5Dӻ୕܆ༀCoWoSʕʧᄴ৷ᗭܓٞஷˆٙႡЪ
度
矽
高
難
通
製
作
孔
的
層
系
裝
統
封
進
中
介
先
2.8 先進2.5D系統封裝CoWoS中介層高難度矽通孔的製作
下圖左上為CoW的俯視畫面，每個黑塊並非單晶而是共乘的多
下圖左上為CoW的俯視畫面，每個黑塊並非單晶而是共乘的多晶。各晶底
眾多接口必須對準底圓接口才能被C4焊成互連的微凸塊。底圓切割後即成
晶。各晶底眾多接口必須對準底圓接口才能被C4焊成互連的微凸塊。
為中介層。而中介層必須靠矽通孔才能貼焊到有機載板上。矽通孔的製作
底圓切割後即另稱的中介層。而中介層必須靠
非常困難，右四圖是在玻璃板交替支撐下用
活性SF 咬蝕矽材並用鈍性C F 保護孔壁，在
矽通孔才能焊連到有機載板上。矽通孔的製做
4 8
6
兩種電漿鑽孔與填銅而完成TSV。後續還需玻
非常困難，右四圖是在玻璃板交替支撐下用活
璃的支撐才完成C4銲料接口。
性 SF 咬蝕
6
矽材同時用 晶片共乘
鈍性C F 保
8
4
護孔壁，在
兩種電漿鑽
孔與後續困 W
難填銅而成
孔徑5μm
5
μ
TSV。後續 矽通孔,難度高, 成本貴 m
還需玻璃的
支撐才完成
C4接口。
2.9 ΋ආ2.5Dၾ3D܆ༀՉ΢ᄴॴٙʝஹટɹ
口
連
互
的
接
級
層
進
與
2.9 先進2.5D與3D封裝其各層級的接口互連
先
各
其
封
裝
從下圖CoWoS-S上紅框可見到多個晶片用C4微凸塊坐焊到中介層的CoW畫面，
從下CoWoS-S圖上紅框可見到多個晶片用C4
左側紫色HBM高寬帶(高速)內存堆已成 CoWoS-L
微凸塊坐焊到中介層的CoW畫面，左側紫色
3D封裝，右側兩個邏輯晶片即為2.5D
的HBM寬帶(高速)內存堆已成3D封裝，右側
封裝。下紅框是後段工程oS用錫銅凸塊
兩個邏輯晶片即為2.5D封裝。下紅框是後段
連焊到載板，與oP錫銀銅球腳再連到主
工程oS的錫銅凸塊連到載板，與oP錫銀銅球
板的畫面。右上圖另為CoWoS-L的示意
腳連到主板的畫面。右上圖另為CoWoS-L的
圖，也就是CoW的底圓被切單成多個方
說明圖，也就是CoW的底圓被切單成多個方
片時改稱中介層Interposer的說明。
片時改稱中介層Interposer。