Page 12 - 電路板季刊第109期
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10  專業技術      先進封裝與銅銅對接(2) Advanced Package



             ΋ආ܆ༀၾზზ࿁ટ                                                                (2)
             ΋ආ܆ༀၾზზ࿁ટ(2)



                             Adva          nced Packa                      ge
                             Advanced Package



                                                                                           白蓉生
                                                                              TPCA 資深技術顧問

            ɓeۃԊ

                 筆者前108期即將目前最熱門的先進封裝整理成文,由於HPC與AI生意太好,造
            成性價比高的CoWoS-S與CoWos-L供不應求,成為業界學界都急於攪清楚其中究竟
            藏著什麼驚人的法寶。然而所有網站與媒體能夠呈現者均為市場性的題材,極少對技
            術方面做深入剖析。不過真正量產的業者們如台積電,日月光與矽品等,對於所有量
            產的細節全都列為保密範疇,外人不可能得知。筆者只能翻山越嶺辛苦找到的一些新
            舊資料再次整理成109期的續文,其中謬誤必多,歡迎高手不吝指教。
                 本期具體內容有:細說CoWoS,簡介SoIC,iPhone18的WMCM,光電共同封
            裝,背向供電,EMIB/Foveros,與銅銅對接細說等。抽象的文字已無法表達如此飛躍
            的發展,且許多公開好圖中也存在著不少的錯誤,筆者均已小心加以改正與重編,尚
            盼讀者能夠細讀才得以吸收新知,而非走馬看花式的收盡眼底,不當處尚盼指正。

                        二、先進封裝多處層面的多樣變化
            ɚe΋ආ܆ༀεஈᄴࠦٙεᅵᜊʷ
                                   與
                                 傳
                           晶
                             片
                               內
                                     電
                                                       者
                                                     兩
                                                   傳
                                                             異
                                                           差
                                                         的
                                           及
                                         板
                                       路
                                                 外
                                               板
                                             載
                        2.1 晶片內傳與電路板及載板外傳兩者的差異
            2.1 ౺˪ʫෂၾཥ༩ؐʿ༱̮ؐෂՇ٫ٙࢨମ
                          晶片內傳Byte訊號是採8碼8線的單程併傳,而電路與                  從全球載板業者宣布擴建看來,
                 晶片內傳Byte訊號是採8碼8線的單程併傳,而電路                            往後幾年中的供應將超過需求
                         載板的外傳只能採用單碼單線的單程串傳。且頭尾串
                         傳為了區別起見還需另加頭尾空碼,於是8去8回內傳
            與載板的外傳只能採用單碼單線的單程串傳。且頭尾串
                         的線數將為外傳1去1回的8倍,而內傳比外傳快了10倍
            傳為了區別起見還需另加頭尾空碼,於是8去8回內傳的
                         以上。目前晶內傳的線寬 已微縮到2nm,然而外傳的
            線數將為外傳1去1回的8倍,於是內傳比外傳快了10倍以
                         量產細線卻只能止步於5μm;內外相差達數2500倍之
                         多。下圖說明內外訊號線微縮的差距,以及晶片持續
            上。目前晶片內傳的線寬已微縮到2nm,然而外傳的量產
                         變大技術愈來愈難的趨勢。右圖說明先進載板供需市
            細線卻只能止步
                         場的預
            於5µm;內外相
                         估走
                         勢
            差達數2500倍之
                         。
            多。下圖說明內
            外訊號線微縮的
            差距,以及晶片                                                                          晶片尺寸
            持續變大技術愈               半導體技術結點
            來愈難的趨勢。
            上圖說明先進載
            板供需市場的預                                                                    2
            估走勢。
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