Page 13 - 電路板季刊第109期

電路板季刊 2025.10 專業技術 11

2.2 ટɹ(I/O)ᄣεᄣ੗ၾ༨൷ᐵڐٙᒈැ
絕大部分晶片或中介層與載板間的傳輸接口，均採2D式腹底微凸塊或凸塊或球腳
趨
勢
口
的
2.2 接口(I/O)增多增密與跨距縮近的趨勢
接
近
縮
距
增
密
多
增
與
跨
做為互連。於是當整體訊號流量急速增多時，接口數量也必須隨之增多增密，以致各
絕大部分晶片或中介層與載板間的傳輸接口，均採2D式腹底微凸塊或凸塊與球腳做為
接口的跨距(Pitch)也更加縮短拉近，下圖即出自著名市調業者Yole的趨勢呈現。左下
互連。於是當整體訊號流量急速增多時，接口數量也必須隨之增多增密，而各接口間的
跨距(Pitch)也必更縮短拉近，下圖即出自著名市調業者Yole的趨勢呈現。左下區為傳統封
區為傳統封裝與先進封裝兩者低階產品6種接口的說明，右上區為接口增多後其密度上
裝與先進封裝兩者低階產品6種接口的說明，右上區為接口增多後其密度上升與彼此跨距
升與彼此跨距縮小拉近的呈現。
縮小拉近的呈現。
1.
1. 常規有機載板腹底無鉛SAC305球腳是全系統中最大型的I/O
2. 銲料接口，此等球腳是由載板腹底錫球與主板錫膏兩者熔成，
又分為電源腳,接地腳與訊號腳，所有訊號腳均為單向進出。
2.
1. 傳統封裝有機載板頂面與晶片反轉晶臉朝下接口的互連多採
錫銅合金凸塊Bump，許多論文均稱C4 Bump其實並不正確。
3.
1. 當載板與晶片間又插入矽中介層的先進封裝時，於是載板頂
與中介層底兩者間採錫銅凸塊，但中介層頂與晶臉間的銲料
為免遭後續外熱干擾才改為高鉛高熔點C4的凸塊或微凸塊。
4.
1. Sn10%Pb90% 高鉛高熔點
(275-301 C)的
o
C4(Controlled Collapsed
Chip Connection)銲料，多用
於先進封裝中介層頂與朝下晶
臉間的微凸塊，而此等C4銲料
是落在μBump上下銅柱之間，
5.
故亦稱C2微凸塊。 1. 從上述細節看來銅多錫少的C2微凸塊
常規覆晶凸塊
常 規 覆 晶 凸 塊 導電較好發熱較少，常規凸塊次之，
而體積大的球腳導電就更差發熱就更
多了。於是可知銅銅對接不但導電最
好發熱最少且亦無需Underfill填底膠，
省工省料外散熱的阻礙也變少了。
常規有機
2.3 ΋ආ܆ༀʕ౺෥౺˪ٙ͛࿒ӻ୕
2.3 先進封裝中晶圓晶片的生態系統
下框為IC從設計到完工的產業鍊，下游 大量出貨利潤多可免除SoC客戶的NRE(Non-
下框為IC從設計到完工的產業鍊，下游封 Recurring Engineering)非多廣用性(專用性)
封測原本以委外為主流。但自2012年台積電 競價型 PC 的前期工程費用。
測原本以委外為主流。但自2012年台積電
跨足先進封裝(AP)的CoWoS起，到2016年 出貨量少利潤少無法免除SoC
跨足先進封裝(AP)的CoWoS起，到2016年
客戶的NRE專用性工程費用
iphone-7用InFO-PoP的海量手機封裝，使得 Data Center 資料中心
iphone-7用InFO-PoP的海量手機封裝，使得
台積電在Foundry與AP兩大市場均大幅領先。
台積電在Foundry與AP兩大市場均大幅領先。
右上為電子產品市場的分類。自從AI興起
並帶動AP的快速發展，以CoWoS封測為例，
右上為電子產品市場的分類。自從AI興起並帶 此圖為傳統
即使連委外的矽品與艾克爾等內外全力趕 電子產品市場的 Military
A
概括分類,自從AI興起
,
I
動AP的快速發展，以CoWoS封測為例，即使 後情勢大變換機潮逐漸湧現
工也只能滿足市場的半數而已。
連委外
的矽品
與艾克 黃仁勳 蘇姿豐
爾等內
外全力 陳立武 (AP全球龍頭)
趕工也
只能滿
足市場
的半數
而已。