Page 21 - 電路板季刊第109期
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電路板季刊 2025.10 專業技術 19
2.18 ٞʕʧᄴၾϞዚ༱ؐʝஹ፼ზ̉෯̰ࣩٙࣖԷ
2.18 矽中介層與有機載板互連錫銅凸塊的失效案例
最下400X大圖是矽中介層與有機載板兩者間5個接口Bump凸塊的併接畫面,可見
最下400X大圖是矽中介層與有機載板兩者間5個接口Bump凸塊的併接畫面,可見到1號
到1號接口載板ENEPIG表面已遭拉裂,先放大到3000X然後再經電腦翻倍到6000X,
接口載板ENEPIG表面已遭拉裂,先放大到3000X然後再經電腦翻倍到6000X,終可清楚見
終可清楚見到是由於ENEPIG的金層太厚,未能長出強度的Ni Sn 而遭到外力拉裂。這
到是由於ENEPIG的金層太厚,未能長出強度的Ni Sn 而遭到外力拉裂。這幾乎是業界的
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通病,不明真相者都認為金層厚些品質才更好。
幾乎是業界的通病,不明真相者都認為金層厚些品
其實ENIG規範IPC-4552A的金厚僅0.04-0.1um,而
質才更好。其實ENIG規範IPC-4552A的金厚僅0.04-
ENEPIG規範IPC-4556的金厚則只要>0.03um即可,
金層太厚焊接熱量趕不光金層長不出Ni Sn 時,
0.1um,而ENEPIG規範IPC-4556的金厚則只要
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>0.03um 銲點強度就必然不足。
即可,金
層太厚焊
接熱量趕
不光金層
就長不出
小草具強
度Ni Sn 4
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時,銲點
強度就必
然不足。
2.19 ආSiPӻ୕܆ༀCoWoS-R̨̻ٙႭ
此處CoWoS-R的結構與手機InFO大致相同,亦即在玻璃圓支撐下佈著PSPI
2.19 先進SIP系統封裝CoWoS-R平台的細說
的
細
說
先
封
裝
平
統
進
系
台
感光型聚亞酼胺樹脂的絕緣層,再做感光盲孔與濺射鈦銅及電鍍銅的導體層,交替
此處CoWoS-R的結構與手機的InFO大致相同,亦即在玻璃圓支撐下佈著PSPI感光型聚亞
加工成為四六層低成本的RDL。不過此處-R的L/S已從手機的11µm縮細到AI的2µm
酼胺樹脂的絕緣層,再做感光盲孔與濺射鈦銅及電鍍銅的導體層,交替加工成為四六層低
了。由於RDL本身全無剛性因而每道製程都要玻璃圓支撐下才能進行。承焊晶片及
成本的RDL,不過此-R的L/S已從手機的11μm縮細到2μm了。由於RDL本身全無剛性,因而
每道製程都要玻璃圓支撐下才能進行。承焊晶片及模封強固後才可移除玻璃進行後續數次
模封強固後才可移除玻璃進行後續數次強熱焊接。此時雖已有封模的支撐但其CTE
強熱焊接。此時雖已有封模的支撐但其CTE卻
卻與玻璃不同,因而造成 RDL 中各銅層的
與玻璃不同,因而造成RDL中各銅層的嚴重扭
嚴重扭曲變形而無法再做大
曲變形而無法做大。多數
網站都說RDL中介層可吸
了。多數網站都說RDL中介
收晶片與載板間CTE落差的
層可吸收晶片與載板間CTE
應力其實也不正確。從市
場看來便宜的-R出貨量卻
落差的應力其實也不正確。
遠低於高價的-S,故知性
從市場看來便宜的-R出貨量
能好壞才是真因。
卻遠低
於高價 有機 有機
的-S,
故知性
能好壞
才是真
因。

