Page 21 - 電路板季刊第109期
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電路板季刊 2025.10       專業技術 19


            2.18 ٞʕʧᄴၾϞዚ༱ؐʝஹ፼ზ̉෯̰ࣩٙࣖԷ
                       2.18  矽中介層與有機載板互連錫銅凸塊的失效案例
                 最下400X大圖是矽中介層與有機載板兩者間5個接口Bump凸塊的併接畫面,可見
                         最下400X大圖是矽中介層與有機載板兩者間5個接口Bump凸塊的併接畫面,可見到1號
            到1號接口載板ENEPIG表面已遭拉裂,先放大到3000X然後再經電腦翻倍到6000X,
                         接口載板ENEPIG表面已遭拉裂,先放大到3000X然後再經電腦翻倍到6000X,終可清楚見
            終可清楚見到是由於ENEPIG的金層太厚,未能長出強度的Ni Sn 而遭到外力拉裂。這
                         到是由於ENEPIG的金層太厚,未能長出強度的Ni Sn 而遭到外力拉裂。這幾乎是業界的
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                         通病,不明真相者都認為金層厚些品質才更好。
            幾乎是業界的通病,不明真相者都認為金層厚些品
                         其實ENIG規範IPC-4552A的金厚僅0.04-0.1um,而
            質才更好。其實ENIG規範IPC-4552A的金厚僅0.04-
                         ENEPIG規範IPC-4556的金厚則只要>0.03um即可,
                         金層太厚焊接熱量趕不光金層長不出Ni Sn 時,
            0.1um,而ENEPIG規範IPC-4556的金厚則只要
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            >0.03um      銲點強度就必然不足。
            即可,金
            層太厚焊
            接熱量趕
            不光金層
            就長不出
            小草具強
            度Ni Sn   4
                 3
            時,銲點
            強度就必
            然不足。


            2.19 ΋ආSiPӻ୕܆ༀCoWoS-R̨̻ٙ୚Ⴍ
                 此處CoWoS-R的結構與手機InFO大致相同,亦即在玻璃圓支撐下佈著PSPI
                      2.19 先進SIP系統封裝CoWoS-R平台的細說
                                                   的
                                                     細
                                                       說
                          先
                                    封
                                      裝
                                               平
                                  統
                            進
                                系
                                                 台
            感光型聚亞酼胺樹脂的絕緣層,再做感光盲孔與濺射鈦銅及電鍍銅的導體層,交替
                       此處CoWoS-R的結構與手機的InFO大致相同,亦即在玻璃圓支撐下佈著PSPI感光型聚亞
            加工成為四六層低成本的RDL。不過此處-R的L/S已從手機的11µm縮細到AI的2µm
                     酼胺樹脂的絕緣層,再做感光盲孔與濺射鈦銅及電鍍銅的導體層,交替加工成為四六層低
            了。由於RDL本身全無剛性因而每道製程都要玻璃圓支撐下才能進行。承焊晶片及
                     成本的RDL,不過此-R的L/S已從手機的11μm縮細到2μm了。由於RDL本身全無剛性,因而
                     每道製程都要玻璃圓支撐下才能進行。承焊晶片及模封強固後才可移除玻璃進行後續數次
            模封強固後才可移除玻璃進行後續數次強熱焊接。此時雖已有封模的支撐但其CTE
                      強熱焊接。此時雖已有封模的支撐但其CTE卻
            卻與玻璃不同,因而造成 RDL 中各銅層的
                      與玻璃不同,因而造成RDL中各銅層的嚴重扭
            嚴重扭曲變形而無法再做大
                      曲變形而無法做大。多數
                     網站都說RDL中介層可吸
            了。多數網站都說RDL中介
                      收晶片與載板間CTE落差的
            層可吸收晶片與載板間CTE
                      應力其實也不正確。從市
                      場看來便宜的-R出貨量卻
            落差的應力其實也不正確。
                      遠低於高價的-S,故知性
            從市場看來便宜的-R出貨量
                      能好壞才是真因。
            卻遠低
            於高價                有機                                                     有機
            的-S,
            故知性
            能好壞
            才是真
            因。
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