Page 24 - 電路板季刊第109期

22 專業技術 先進封裝與銅銅對接(2) Advanced Package

2.24 ৷චHPCၾAIהცٙSoIC
由2.7節兩圖可見到整合性與互連
2.24 高階HPC與AI所需的SoIC
密度最高的SoIC將在2025Q4台積電三
由2.7節兩圖可見到整合性與互連密度
最高的SoIC將在2025Q4台積電三個AP
個AP廠量產，SoIC又有兩型:①-P其
廠量產，SoIC又有兩型:① -P其多晶間
多晶間仍採C4微凸塊互連②-X型最新
仍採C4微凸塊互連②-X型5代改採銅銅
5代改採銅銅對接其接口跨距(pitch)僅
對接其接口跨距(pitch)僅2μm(μBump
約20μm)，從右上框可
2µm(µBump約20µm)， SoIC-P 銲料互連 SoIC5
SoIC-X
見到SoIC5比SoIC1在能 銅銅對接
從右上框可見到SoIC5比
源效益上竟然拉高了
16倍。其強大功能目前
SoIC1在能源效益上竟然
幾無匹敵2026年已有
拉高了16倍。其強大功能
30多客戶在排隊了。
目前幾
無匹敵
，2026
的明年
已有30
多客戶
在排隊
了。

2.25 ᘼ؈˓ዚᏐ͜ஈଣኜ΋ආ܆ༀٙΎࠧն
2.25 蘋果手機應用處理器
2016年i-phone7 /AP9封
先進封裝的再革命
裝用的6層HDI載板，竟被又
輕又快InFO-PoP的RDL所取
2016年i-phone7 /AP9封裝
代，由於海量手機使得此革命
用的6層HDI載板，竟被又
對當時的載板影響很大。幸好
輕又快InFO-PoP的RDL所取
代，由於海量手機使得此
RDL本身毫無剛性一旦面積增 去耦合電容器可消除扭曲線路的雜訊
革命對當時的載板影響很
大時，其銅線及銅盲孔的扭曲
大。幸好RDL本身毫無剛性
變形將使其失去存在價值。於
一旦面積增大時，其銅線
及銅盲孔的扭曲變形將使
是RDL只能在手機封裝的小平 載板上1個電件搭配4個光件
其失去存在價值。於是RDL
台上活耀了十年，其他產品仍 共封光件
只能在手機封裝的小平台
全是常規載板的疆場。右上是
上活耀了十年，其他仍全
是常規載板的疆場。右上
2026將上市i-phone18的封裝
是2026將上市i-phone 18的
平台，又從i-7的單層RDL再革
封裝平台，又從單層RDL再
命到雙層RDL的WMCM。從下
革命到雙層RDL的WMCM。
從下表可見到AI手機i-18將
表可見到AI手機i-18將在台積
在台積電四個AP廠量產。
電四個AP廠量產。至於3D封
至於3D封裝的SoIC已在三
裝的SoIC已在三處廠區進入試 2025.8裝機
處廠區進入試產。而更新
的CPO共同封裝光件亦將
產。而更新的CPO共同封裝光
在兩個廠區進行。
件亦將在兩個廠區進行。