Page 29 - 電路板季刊第109期

電路板季刊 2025.10 專業技術 27

2.34 Intel΋ආ܆ༀFoverosਗ਼ආɝზზ࿁ટ(1)
2.34 Intel先進封裝Foveros將進入銅銅對接
Intel也在2025 ECTC論文集另宣佈其五 銅銅對接
Intel在2025 ECTC論文集中宣佈其五代
Foveros將進入銅銅對接時代，右上示意
代Foveros將進入銅銅對接時代，右上示意
圖即取自該文。中左及中右兩圖所展現
圖即取自該文。中左及中右兩圖所展現者仍
者仍為該平台早先的C4µBump微凸塊互
為該平台早先的C4µBump微凸塊可做為銅 此圖取自 2025 ECTC 論文集 P,83 Intel文章
連的對比畫面，最下兩圖即為C4微凸塊
與銅銅對接兩者，在接口密度上
銅對接的對比，最下兩圖即為C4微凸
的巨大差異;左C4微凸塊的接口 C4微凸塊互連
2
塊與銅銅對接兩者的直接對比，其接
密度僅400 EA/mm ，而右圖銅
2
銅對接竟增加到10 k/mm 之多。
口密度出現巨大差異;左C4微凸塊接口
密度僅 頂部晶片 C4 μBump C2 Bump 3D 封裝
高鉛微凸塊
400個/ 錫銅合金凸塊
矽通孔 矽通孔
2
mm ，而 基底晶片
右圖銅
銅對接 Substrate 有機載板
者其密
度竟增
加到萬
個/mm 2
1
之多。

2.35 Intel΋ආ܆ༀFoverosਗ਼ආɝზზ࿁ટ(2)
先進封裝中Intel已量產者兩大招牌就是EMIB與Foveros，從前節可知Intel在
2025年已進入銅銅對接的高速高效的運算，但也是高難度的開始。Forveros又有四
個平台即Omni，-S，-R，-B。其中-S是指架構中已加入 ODI(Omni Directional Interconnect) 平台
2.35 Intel
矽中介層，-R與-B要到2027年才能量產。右上圖3D封裝
的ODI即為Omni平台，其特點是上下各晶片間已採用精密
Substrate 有機載板
的銅銅對接，且底層晶還出現上下訊號可直達的矽通孔，
右側出現兩常規較大通 3D封裝
底晶扮演數據交通指揮
孔則為跑電流的供電捷
徑。此平台將用於HPC
與AI等CPU的封裝，中
圖與下圖為2.5D與3D

封裝的對比， 3D封裝
而下圖銅銅
對接的跨距
(Pitch)僅5µm
遠低於人髮的
75µ m，其難
度可想而知。 3D封裝