Page 32 - 電路板季刊第109期

30 專業技術 先進封裝與銅銅對接(2) Advanced Package

3.3 HBზზ࿁ટՊۨਂجٙႭ׼(3)
3.3 HB銅銅對接典型做法的說明(3)
下圖流程的起步皮膜SiO 所改用PECVD的方法要
下流程的起步皮膜SiO 所改用PECVD的方法要比多氧烤
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箱節省一半的時間，但機器的成本卻高出不少。且第
比多氧烤箱節省一半的時間，但機器成本卻高出不少。
4站的種子金屬也不用PVD蒸鍍Ta/ TaN而改用濺射鈦銅。
且第4站的種子金屬也不用PVD蒸鍍Ta/TaN而改用濺射
其他步驟相差不多。中圖說明CMP後的待接表面先用
鈦銅。其他步驟相差不多。中圖說明CMP後的待接表面
氧氣電漿進行活化，使二氧化矽表面產生OH基，之後
真空室溫壓合先完成
先用氧氣電漿進行活化，使 Activation
矽材的鍵合，最後真
二氧化矽表面產生OH基，
空高溫中完成銅銅對
接。右上圖為放棄PVD
之後真空室溫的加壓先完成
的Ta/ TaN 與測射銅，
矽材鍵合，最後真空高溫中
而改用便宜的化學銅
完成銅銅對接。右上圖為放
也可完成銅銅對接。
至於必須考
棄PVD的Ta/TaN
慮可靠度與
與測射銅，而改用
成本的量產
便宜的化學銅也可
做法為何，
當然成為業
完成銅銅對接。至
者保密的資
於必須考慮可靠度
產了。
與成本的量產做法
為何，當然是為業
者保密的資產了。 38
3.4 HBზზ࿁ટՊۨਂجٙႭ׼(4)
3.4 HB銅銅對接典型做法的說明(4)
右上圖是晶圓廠生產線分成前段(FEOL)與後
右上圖是晶圓廠生產線分成前段(FEOL)與後段(BEOL)
段(BEOL)的示意畫面①前段是對海量電晶體的安置
的示意①前段是做海量電晶體的安置工程②後段是
海量訊號線與電源線的佈置工程，兩段合稱晶臉
工程②後段是海量訊號線與電源線的佈置工程，兩
(TOP Metals)，最下端的晶背已做省略。最上端就
段合稱晶臉(Top Metals)，右圖最下端的晶背已加
是下游的封測工程。下三圖說明晶臉最外緣的接口
省略，最上端就是下游的封測工程。下三圖說明晶
(I/O)工程；也就是按3.2節右圖的流程先用TEOS方
式在晶臉表面做上SiO /SiCN皮膜，經光阻成像做出
臉最外表面的接口(I/O)工程；也就是按3.2節右圖的
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接口與電鍍銅溢鍍全面，以及CMP精準削平面銅而
流程先用TEOS在晶臉表面做上SiO /SiCN皮膜，再
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呈現下左畫面，於是真空中先把兩面電漿活化後，
經光阻成像做出接口與電鍍銅溢鍍全面，以及CMP
先做下中圖的矽矽對接，再做下右圖高溫退火的銅
銅對接即告完工。
精準削除面銅而呈現下左畫面，於是真空中把電漿
活化後的兩面，先進行下中圖的矽矽對接，再做下
右圖
FEOL FEOL
高溫 FEOL FEOL FEOL FEOL
退火 真空 真空
室溫
的銅 中先 高溫
中後
銅對 矽矽 銅銅
對接
接即 對接
告完 FEOL FEOL FEOL FEOL FEOL FEOL
工。