Page 31 - 電路板季刊第109期

電路板季刊 2025.10 專業技術 29

ɧeHybrid Bonding ૿ΥᒟΥٙზზ࿁ટ

3.1 HBზზ࿁ટՊۨਂجٙႭ׼(1) 3.1 HB銅銅對接典型做法的說明(1)
3.0 Hybrid Bonding 混合鍵合的銅銅對接
從網站與ECTC八年來學界業界多篇銅銅對接論文的讀後，直覺莫衷一是不知何
從網站與ECTC八年來學界業界多篇銅銅對接論文的讀後，直覺莫衷一是不知何者才可量產？
者才能量產？本節只好整理簡化成最典型的三大步
本節只好整理簡化成最典型的三大步驟①於兩
晶片的晶臉先做上SiO ，然後選擇性咬掉局部
驟①於兩晶片的晶臉先做上SiO ，然後選擇性咬掉
2
2
二氧化矽，並填銅成接口再用CMP削平兩面，
局部二氧化矽，並填銅成接口後再用CMP削平兩
此時銅面會被CMP的化學品微蝕稍凹②常溫真
空中將兩晶片密合約10分鐘，使彼此矽材部份
面，此時銅面會被CMP的化學品微蝕稍凹②常溫
o
先產生弱氫鍵的結合③真空250 C退火2小時以
真空中將兩晶片密合約1分鐘，使彼此矽材部份先
上讓矽材的鍵合更為牢固，也讓微凹的銅面出
產生弱氫鍵的結合③真空250℃ -X
現再結晶變大而完成上
下無縫的結合。中圖說
退火2小時以上讓矽材的鍵合更
明SoIC-X的銅銅對接已
為牢固，也讓微凹的銅面出現再
在台積電三個AP廠量
產的電鏡圖。
結晶變大而完成上下無縫的結 2025/2H 已在三個AP廠量產 接
合。中圖說
Top Metals 晶臉佈線 Top Metals 晶臉佈線
明SoIC-X的
銅銅對接已
在台積電三 Top Metals 晶臉佈線
Top Metals 晶臉佈線
個AP廠量產
的電鏡圖。
SiO 2 徹 CMP
3.2 HBზზ࿁ટՊۨਂجٙႭ׼(2)
3.2 HB銅銅對接典型做法的說明(2)
右列流程圖是就銅銅對接的每一細部內容的詳細
右列流程圖是就銅銅對接的每一細部內容均加以
說明；第3站RIE乾蝕二氧化矽過程
說明；第3站RIE乾蝕二氧化矽中的
灰塵必須徹底清除，以免造成如中
的灰塵必須徹底清除，以免造成如中 對接不良
灰塵性
上圖銅銅對接的缺失。第6站的
上圖銅銅對接的缺失。第6站的CMP
CMP製程很關鍵，除了可把TEOS
徹底削除外，
製 程 非常關鍵，除
各鍍銅接口也
了可把TEOS皮膜徹
都要小心凹蝕，
底削除外，還要把各 待接前
才能使後站的
銅銅對接安全
鍍銅接口也做小心凹 的示意
無虞。中中圖
蝕，才能保證後站銅
為流程第7站
待接前的示意
銅對接的安全無虞。
畫面。左下圖
中中圖為流程第7站
為TEOS的化學
銅銅待接前的示意畫
式。
面。左
下圖為 四乙氧基矽烷
T EO S
的化學
式。