Page 44 - 電路板季刊第112期

42 專業技術 化學銅面對的奈米空泡考驗

隙。在初始沉積階段，即鈀催化劑表面尚未被沉積的銅覆蓋前，透過降低鍍速來抑制
大空隙的策略最為有效。圖12.為空洞生長機制模型。技術細節可參閱參考資料6.。

圖12、基於分析的化學鍍銅中空洞生長機制

9. 筆者此次蒐集到的文獻，以及與多家藥水商接觸或討論的結果，都屬於片面陳述。
依據現有技術資料所述論點，不論觸媒系統如：鈀或採用甲醛、無甲醛系統，只要
涉及銅還原，都會出現氣體生成問題。包括：氫、氮等氣體。因此部份廠商陳述下
一代化學銅將不會產生奈米空泡問題。如果無法提出還原銅不會生成氣體的機制，
恐怕要保證完全無奈米空泡共析出現，不容易讓人信服。圖13.為化學銅反應機制，
鈀正是負擔著吸氫增強還原反應的角色，因此如何降低氫共析或者排除它的發生，
必然是重中之重的問題。這部份可參閱拙作，「電路板濕製程技術與應用」，會有
比較完整的理解。