Page 39 - 電路板季刊第112期

電路板季刊 2026.7 專業技術 37

點，但也都不能期待高於2000X的解析度了。同時拋光過程，也可能因為拋光材料與
研磨等污染干擾，會影響觀測成果。

圖1、典型的機械研磨微蝕處理盲孔切片

要進一步觀察更細緻影像或偵測介面物質，則會搭配電子顯微鏡(SEM)與能量色
散X射線譜(EDS-Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)。如果再搭配電子槍局部切
割，則可以做到更小區域更精緻的影像，且不受機械研磨的可能異物影響。典型聚焦
離子束(FIB-Focused Ion Beam)搭配SEM的影像，如圖2.所示。

圖2、典型的FIB斷面SEM照片
如果要觀察奈米級的缺點影像，則恐怕就必須採用穿透式電子顯微鏡(TEM-
Transmission Electron Microscopy)來觀察。典型的TEM電路板介面觀測影像，如圖
3.所示。要用EDS分辨奈米級尺度範圍的物質，有標定位置難度，因此不會用這個技
術偵測如此小範圍的異物。

圖3、典型化學銅介面的奈米級TEM照片
目前電路板廠有比較完整檢驗設備者，多數僅止於SEM配備，能延伸到FIB等級
分析，已少之又少，偶爾也可以靠藥水商較完備分析工具支援。至於TEM則連藥水商

的設置量都少，必要時可能必須委託專業分析機構或靠研究單位支援。TEM的視野相