Page 43 - 電路板季刊第112期

電路板季刊 2026.7 專業技術 41

圖9、典型的缺陷模型

6. 較高的鎳含量往往會增加界面處的晶粒不連續性。如圖10.所示。但是沒有鎳又可能
讓奈米空泡與應力增大，這是衝突的特性。

圖10、不同鎳含量的影響
7. 空隙主要出現在薄層下部區域，即化學鍍銅最初形成位置。此外，鍍液溫度升高與
較大空隙形成有關，這表明較高溫度可能會影響鍍層成長過程空隙的生長。如圖

11.所示。降低鍍液溫度可以顯著降低化學鍍銅層中的空隙率和空隙尺寸，但可能也
同時降低了藥水的活性，這對槽體負荷較低的水平製程是比較大的困擾。

圖11、不同溫度對空隙成長有影響

8. 降低鎳含量和鍍液溫度會降低鍍速，從而減少空隙率和最大空隙尺寸。初始鍍層表面
催化劑顆粒會增加銅沉積的有效反應表面積，促進氫氣泡的形成，從而導致更大空