Page 43 - 電路板季刊第111期
P. 43

電路板季刊 2026.4       專業技術 41























            圖10、 電性驗證(EV)與訊號完整性(SI)之關聯分析:主機板與纜線阻抗不匹配情況
                   下之裕度測試結果彙整,顯示阻抗不匹配程度越小,電性裕度表現越佳
            ʞeࣩԷ޼Ӻɧj˴ዚؐ໔Зਜਹৃ໮Ԑᇞ༼஝ிϓЭཥᏀ༃ܓ
            cc  (CASE STUDY3: PIN FIELD TRACING VIOLATION ON MB CAUSING
                  LOW VOLTAGE MARGIN)
                 在最後一個案例研究中,如圖 11  所示,資料中心主機板設計C採用雙連接器拓
            撲,主機板連接至延伸卡,並接上 PCIe Gen5 CEM  裝置以進行電性裕度測試。如圖

            12 所示,在 Gen5 x16 通道寬度操作下,於 PCIe接口Port 32 Lane 1 發現不對稱的
            低電壓裕度現象。隨後進行的電性驗證(EV)實驗中,透過遮蔽相鄰的  Lane  2–15,
            使 PCIe接口 Port 32 Lane 1 的裕度顯著提升約 11 mV,顯示該低裕度現象可能源自
            相鄰通道所造成的近端串擾 (near-end crosstalk)。

                 在針對特定主機板的設計審查中,發現 CPU  腳位區域訊號走線違反設計指引,
            導致近端耦合(near-end coupling)機制產生,進而造成 PCIe接口Port 32 Lane 1

            的裕度劣化。如圖 13  所示之設計指南明確建議,主機板外側腳位訊號應配置於上層
            走線層,而內側腳位訊號應配置於下層走線層,並於下層走線實施背鑽(back-drill)
            以移除未使用的過孔殘樁。然而,在圖 13  所示之主機板設計C實際佈局中,雖然已於
            PCIe接口 Port 32  已實施背鑽,但其腳位訊號配置方式與設計指引相反,發射端之外
            側腳位訊號  被配置於下層 L3,而接收端之內側腳位訊號則配置於上層 L5,因而導致

            近端串擾(near-end crosstalk),並造成 CPU 接收端的電壓裕度劣化。
                 在主機板設計C版本二中,透過修正腳位區域訊號走線違規並遵循設計指引進

            行設計改善,以有效緩解低裕度問題。如圖 15  所示,於新優化之主機板設計C  版本
            二上,PCIe接口Port 32  的整體電性裕度顯著提升約 9 mV,其中亦包含最差情況的
            Lane 1  與 Lane 8。本案例清楚顯示,透過電性驗證(EV)測試結果與硬體主機板設
            計之良好關聯分析,能夠精準辨識裕度劣化的根本原因,並藉由適當的設計修正介入

            主機板設計,進而有效提升高速訊號傳輸品質。
   38   39   40   41   42   43   44   45   46   47   48