Page 16 - 電路板季刊第110期

14 專業技術 AI伺服器機櫃與載板/電路板

3.3 CoWoS൴৷ᗭܓֵٙ౺෥(ʲఊϓމʕʧᄴ) Ⴁ೻(1)
從前節下左多個臉朝下的黑晶片與臉朝上的白底圓完成上下C4焊接的示意圖，
轉為本節右圖中段即該CoW切單後的立體
呈現，不過已從單晶增至多晶的系統封裝 整體模塊完封後才外加金屬散熱框
了。此Co W工序最困難者就是底圓數十
各晶片的晶臉
萬填銅微通孔的製程。在玻璃板貼撐下先 與接口均朝下
把矽材磨薄到低於100µm，然後用Bosch Chips C4焊接
on(C4高鉛微凸塊)
法咬出海量3-5µm的深盲孔，隨之鍍銅填 Wafer 底圓的晶臉與接口朝
上焊後切單成中介層
盲與CMP削薄完工時誤差值僅2n m。之 on(錫銅凸塊) 之後將TSV的銲墊用
Substrate TSV 錫銅銲料與載板焊接
後才回歸到電晶體，介
質與導體層的製作以及
多晶貼焊模封後，才能
中介層與超大載板間有數十 超大載板其剛性厚核板
移除玻璃並磨出通孔。 萬錫銅凸塊，任何少許彎翹 還須數十萬高縱橫比鍍
都會造成多密凸塊的短路。 銅與樹塞的散熱通孔。
右下圖說明載板頂面早
已改成錫銅焊接了。下
圖 為 中介
層 頂 面的 鍍銅矽通孔其孔 鍍銅矽通孔其孔
徑僅3-5μm縱橫
徑僅3-5μm縱橫
比卻在10:1以上 比卻在10:1以上
C4焊接。
3.4 CoWoS ൴৷ᗭܓֵٙ౺෥(ʲఊϓމʕʧᄴ) Ⴁ೻(2)
本節右圖即前3.2節左下圖切單與續經oS後的俯視圖，中圖為C4貼焊的CoW(亦即
CoI)示意畫面。全流程以底圓數十萬填銅矽通孔的難度最高，也成為NV伺服器機櫃的瓶頸
。其做法是把先矽圓材貼到暫撐用的玻璃圓上並小心磨薄矽材
到不足100µm，然後採Bosch法咬出數十萬口徑3-5µm的深盲孔
， 困 難填 鍍 銅 後
小 心 磨平 再 按 常 晶臉與接口朝下
“on”就是
規I C製程做上薄 上下數十萬
接口的對準
矽 層 與海 量 電 晶 與C4焊接
晶臉與接口朝下
體 ， 並繼 續 完 成
晶 臉 線路 與 接 口
後 ， 才將 各 晶 片
用C4完成CoW的
貼 焊 與封 膠 固 化
。 之 後才 能 移 除
玻 璃 再小 心 把 海

量 填 銅盲 孔 削 成
海 量 通孔 ， 如 此
才 能 與載 板 完 成
後段的oS工程。