Page 71 - 電路板季刊第111期
P. 71
電路板季刊 2026.4 專業技術 69
否具備下降空間。製造能力已成為制約 M9 放量節奏的核心因素,也為後續先進加工
技術的引入奠定了背景。
M9 AI ৷ҿࣘٙ̋ʈ೨ᓃjҿࣘ/ഐᜊʷ੭ԸٙႡிᗭᕚ
在 AI 伺服器和高端交換設備中,PCB 層數向 40 層及以上演進已成為趨勢,這
使得孔壁品質、孔位精度、層間一致性以及熱形變控制對系統可靠性的影響顯著增
強。在高多層結構中,局部加工缺陷不再是單點問題,而可能通過層間累積放大,直
接影響信號通道一致性與長期可靠性。
此外,M9 與常規材料並存的混壓與複合結構應用,進一步提升了工藝複雜度。
混壓工藝意味著單塊板內同時存在不同介質體系、不同吸收特性與熱物性參數,加工
策略需要在多材料介面之間精細平衡。傳統以 CO 鐳射為代表的加工方式,在 M8 階
2
段已暴露出對熱影響區控制與材料適應性不足的問題,而在 M9 及混壓結構下,這些
痛點並未被根本解決,反而被進一步放大。這也使得業界開始重新審視更精細能量控
制手段在 M9 加工中的必要性。
൴Ҟᚚ࢛ٙҦஔዚଣjމʡჿ࠭߆ί M9 ɪһ¨࿁स©
從材料加工機理看,超快鐳射的核心特徵在於脈衝持續時間極短、暫態峰值功率
高、能量沉積時間遠短於材料的熱擴散時間尺度。在鐳射與材料相互作用過程中,能
量主要在電子體系內完成沉積與躍遷,隨後材料發生快速相變或直接去除,而熱量尚
未來得及向周圍區域擴散。這一特性使得超快鐳射在加工過程中形成的熱影響區顯著
縮小,微裂紋、分層及介面熱損傷風險同步降低,尤其適合 M9 這類脆硬、複合、多
介面且結構高度集成的高速材料體系。
在 M9 及其混壓結構中,不同介質與銅層的吸收特性和熱物性差異明顯,納秒鐳
射熱加工方式更容易在介面處引發應力集中與結構損傷。因此,產業中常將納秒鐳射
與超快鐳射分別概括為“偏熱加工"與“偏冷加工/弱熱加工"的兩類窗口。需要指出
的是,這種區分並非絕對,其最終效果仍高度依賴於波長、脈寬、重複頻率、光斑尺
寸以及掃描策略等系統級參數的協同優化。
基於上述機理優勢,超快鐳射在 M9 材料製造中具備較清晰的工序適配空間。在
微孔加工方面,包括盲孔、通孔及高密度微孔陣列,超快鐳射有助於獲得更平整的孔
壁形貌與更一致的孔徑分佈;在介質開窗與去介質工序中,其對材料選擇性與能量可
控性的優勢,使局部去除更易在不損傷鄰近銅層或下層結構的前提下完成。
總體而言,飛秒鐳射之所以在 M9 加工中更“對症",並非源于單一參數的優
勢,而在於其在能量沉積時間尺度、熱影響控制以及多材料介面適應性上的系統性匹
配。這一特性為其在高等級高速材料量產場景中的工程化應用奠定了物理基礎,也為
後續工藝視窗的放大與良率控制提供了可能。
ʈᖵ༩ᇞjࠦΣ M9 ٙᗫᒟਞᅰൖၾۜሯܸᅺӻ
M9的核心特性為擁有極低的介電常數與損耗因數,為實現複雜的增強體系,如圖
1所示為M9材料的結構示意圖,通常採用特種碳氫樹脂與石英纖維布作為增強材料,這

