Page 35 - 電路板季刊第111期

電路板季刊 2026.4 專業技術 33

在光照與有機酸的共同作用下，有機保護層的化學鍵結會被快速斷裂，使原本形成
緻密結構的分子膜大幅減薄，並逐漸回復至金屬本身的表面狀態。量測顯示，保護層厚
度可降至僅剩數奈米，充分證明其移除效率。不同保護層的化學結構雖會影響光化學反
應速率，但整體技術仍具備穩定的可再現性。當光照能量與有機酸濃度被調整至最佳區
間後，可同時避免殘留物與過度再氧化，使表面維持適合作為接合介面的條件。
在進行表面恢復後，銅-銅接合的強度有顯著提升。在250℃、10 MPa、5分鐘的接
合條件下，經光移除的樣品，其接合強度不僅明顯高於未移除者，甚至高於完全沒有使用
保護層的銅表面。這表示保護層除了具備抗氧化功能外，若搭配合適的光移除方法，其表
面在接合前能呈現一種更高活性的狀態，反而有助於金屬鍵結的形成。透過穿透式顯微鏡
觀察可見(圖二)，未妥善移除保護層的樣品，其介面充滿孔洞、碳氧殘留與未貼合區；而
經最佳化光移除條件處理後的銅表面，則呈現連續、緻密且無明顯缺陷的鍵結介面。
本研究展示的技術不僅是表面清潔方法，更是一套跨足「防護」、「活化」、「製
程整合」的完整表面工程策略。它具備低溫、乾式、環境負擔小、可擴展至晶圓級製程
等優勢，其技術契合先進封裝未來追求的三大方向：更精細、更可靠與更綠色的製程發
展。透過這樣的保護與光移除技術，銅表面能在整個製程鏈上隨之趨於一致與穩定。

圖一 、 研究架構示意圖

圖二 、 TEM 影像比較 MNL 移除前後的銅-銅接合介面