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電路板季刊 2026.7 專業技術 57

其主要的氧化物為氧化亞銅(Cu O)，而
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非氧化銅(CuO)。此溫度下的銅氧化情形
與文獻報導一致[22–24]。此外，O 1s峰
值強度隨分析深度而逐漸降低(圖4a)。
這顯示了氧化程度在遠離表面區域後(>
200 nm)將有所減弱，此與圖3(a)的分
析結果一致。當退火時間延長(圖3b及圖
4b)，銅將進一步氧化，而使氧化層隨之
增厚，故O 1s峰強度未隨分析深度而明
顯下降(圖4b)。綜上分析，在150 °C退
火過程中，裸銅線表面會生成Cu O，而
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其生長厚度與退火時間呈正相關。在退
火48小時後，Cu O生成厚度可超過1000
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nm (圖3b)。

圖4、 在150 ° C下，微帶天線(裸銅線)退
火(a) 24 h與(b) 48 h後，接著以
X P S能譜分析C u 2p與O 1s區域。
本圖引用自文獻[17]。
4.2穿透式電子顯微鏡(TEM)

藉由TEM分析可進一步了解微帶天
線上的氧化物結構與生長厚度(圖5)。首
先，經由TEM選區繞射(selected-area
diffraction, SAD)分析，可觀察到氧化物
的繞射圖譜呈德拜環(Debye rings) (圖
5a’)，顯示其為多晶(polycrystalline)結
構。透過德拜環的半徑量測及換算可
知，氧化物的晶面間距(d-spacing)分別
約為3.14 Å、2.49 Å、2.17 Å、1.55 Å、

圖3、 微帶天線(裸銅線)於150 ° C下，退 及1.24 Å，其可分別對應Cu O立方晶體
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火(a) 24 h與(b) 48 h後，以XPS (JCPDS No. 05-0667)之(110)、(111)、
縱深分析Cu (2p)與O (1s)分佈情形 (200)、(220)、及(222)晶面。當選區繞
。本圖引用自文獻[17]。 射稍微朝銅線路區域進行分析時，Cu O
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