Page 18 - 電路板季刊第111期

16 專業技術 光模塊與光通訊 Optical Transceiver and Optical Communication

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四 光模塊中TOSA發光的原理
4.1 ɧʞૄ̒ኬ᜗ʷΥيٙ೯Έࡡଣ
4.1 三五族半導體化合物的發光原理
下列週期表的ⅢA硼族，ⅣA碳族，ⅤA氮族均為半導體元素，而GaAs砷化鎵與
下列週期表的ⅢA硼族，ⅣA碳族，ⅤA氮族均為半導體元素，而GaAs砷化鎵與InP磷化銦
InP磷化銦等就是能發
等就是能發光的半
導體化合物。只要
光的半導體化合物。只
接受到外來電能或
要接受到外來電能或光 如 GaAs砷化鎵或InP
光能的刺激，就會
能的刺激，就會使低軌
使低軌電子躍升高
軌。當失去外能時
電子躍升高軌。當失去
該電子又降回原來
外能時該電子又降回原
軌道，多出的能量
來軌道其多出的能量會
會以發光型態釋出
以發光型態釋出。上圖
。上圖即其發光原
理的說明。但光訊
即其發光原理的說明。
號商業化的LED與
但光訊號商業化的LED
L均需先做出磊晶
與LD均需先做出磊晶
的心臟才會有”發
光”的實用產品。
的心臟才會有＂發光＂
另外CO 波長
的實用產品。另外CO 2
2
10.6μm的高能氣
波長10.6µm的高能氣
體雷射，則是加工
體連續雷射，則是加工
微盲孔的利器，對
微盲孔的利器，對PCB
PCB的流程更為重
要。
的流程更為重要。
4.2 ɧʞૄٙ೯Έɚ฽᜗LEDၾཤ࢛ɚ฽᜗LDʘࢨй(1)
LED與LD兩雷射體都出自精密加工的磊晶，一般LED的磊晶較簡單且沒有共振腔
，如右下圖只是在P/N界面出現電洞與電子的融合而發出微弱散光，只要少許直流電即
可發出弱散光而且也無閥值存在。
至於LD發光體的磊晶則較複雜如左
上圖，當此磊晶受到外能的刺激下，
就將出現如右上圖的電子升降而發出
單向較強的雷射光。且其外能必須超
過閥值 雷射二極體的磊晶發光 磊晶只有鹽粒大小
才能在
諧振腔
中發出
小光徑
的直射
光。下
表即其

二者的
比較。