Page 57 - 電路板季刊第109期

電路板季刊 2025.10 專業技術 55

常壓電漿技術為此提供了高效的解決方案。其無需真空設備，即可直接在生產線
上運作。當電漿作用於材料表面時，其高能電子產生之活性粒子，能與有機物進行反
應，將污染物分解並去除。同時，電漿也能在材料表面引入含氧或含氮的官能基，大
幅提升表面能（例如從原本的疏水性轉變為親水性），進而改善貼合與塗佈的均勻性

與附著力。這種快速、環保且高效的表面活化，在提升製程良率上發揮了巨大作用。
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在細線路製作過程中，光阻的去除與線路的蝕刻精準度至關重要。過去的濕式剝
離與蝕刻，容易因藥液殘留或反應不均，導致線路邊緣不平整或甚至斷裂。

低壓電漿蝕刻為細線路的製作提供了更精準的控制。利用氣態蝕刻劑在電漿中的
活性化，電漿能以非等向性（Anisotropic）或等向性（Isotropic）的方式對材料進行
精準移除，確保線路的垂直度與一致性。再者，電漿也可用於光阻的剝離，利用電漿
中的活性粒子對光阻進行改質或直接移除，有效解決了傳統濕式剝離中光阻殘留的問
題，為高密度PCB的製造提供另一方案。

這些應用案例不僅證明了電漿技術的多樣性，也顯示其在提升品質與降低成本的
同實，對實現綠色製造上具有獨特價值。

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過去，PCB工程與半導體封裝往往被視為兩個分離的領域，彼此界線明確；然而
隨著小晶片（Chiplet）架構與CPO的興起，這條界線正逐漸模糊，PCB不再只是單純
的載體，而是與先進封裝深度結合的關鍵平台。在這樣的轉型中，電漿技術憑藉其低
溫加工與高反應性的特點，展現出在界面活化、異質整合、光電耦合與高可靠度製程
上的優勢。這意味著電漿已從改善傳統PCB製程良率的輔助工具，轉變為推動產業鏈
邁向高速、高頻與光電融合的核心動能。接下來，將介紹電漿在先進封裝與CPO應用
中的應用。

1. 深矽蝕刻（Deep Silicon Etching, DSE）：這是 2.5D/3D-IC 封裝架構中製備高深
寬比矽穿孔（Through Silicon Via, TSV）和背面減薄製程的關鍵步驟。TSV 一旦
填充導電金屬（如銅），便形成堆疊封裝中不同層之間的垂直互連。電漿蝕刻系統
可兼顧維持製程後表面平整與高深寬比的蝕刻深度，其蝕刻深度可達數十微米。

2. 電漿切割(Plasma Dicing)：電漿蝕刻在晶圓切割上，提供了一種低損傷、乾式的替
代方案。其可取代機械或雷射切割，用於從矽晶圓上切割出單個晶粒。電漿切割技
術對於超薄晶圓或含有脆弱低介電常數薄膜的晶圓，以及複雜的晶粒到晶圓接合製
程尤為重要。在切割在切割小晶粒和/或薄晶圓時，電漿蝕刻展現出顯著的產能、良
率和成本優勢，允許更窄的切割道和優化的晶圓佈局，且不受晶粒形狀的限制。在
此需強調的是，此種切割係利用電漿蝕刻原理，與機械加工之熱電漿切割是完全不
同的製程。