Page 48 - 電路板季刊第109期

46 專業技術 Dry film 介電材料技術 Dry film dielectric material technology

曝光系統和雷射直接成像(LDI)系統，可提供超高解析度，在封裝過程中將電路圖案轉
移到基板上，有助於提高後端製程的性能和精度。

Asahi Kasei
Sunfort™
乾膜光阻

圖三、旭化成Sunfort™乾膜光阻
旭化成亦在2025的IEEE上發表新型乾膜抗蝕劑 (DFR, dry film resists)進行Cu柱

圖案化的製程流程如圖四所示。透過對曝光工具和顯影時間進行額外的製程優化，達
高深寬比 (A.R.) 為 3.0 的孔圖案，DFR 厚度高達 450 µm。並透過電解鍍銅成功實現
了 120 µm 高度的抗蝕劑圖案形成，A.R. 為 6.0，相應的 Cu 柱圖案 A.R. 為 5.5。另
外，提到DFR材料對曝光波長的依賴性，發現與混合 ghi 線曝光相比，當對 360 µm
的厚膜使用 i 線曝光時，解析度會明顯下降。

圖四、以DFR進行Cu柱圖案化的製程流程
(ref. 2025 IEEE 75th Electronic Components and Technology Conference (ECTC))