Page 45 - 電路板季刊第107期

四
圖
在橫截面之膨脹曲線圖 (圖 四) 看到，在 200°C 下，9 微米、3 微米與 1 微米 銅
在橫截面之膨脹曲線圖 (圖 四) 看到，在 200°C 下，9 微米、3 微米與 1 微米 銅
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墊的膨脹量分別為 6.4 nm、3.7 nm 與 2.3 nm，顯示隨尺寸縮小，膨脹量顯著減
墊的膨脹量分別為 6.4 nm、3.7 nm 與 2.3 nm，顯示隨尺寸縮小，膨脹量顯著減
少。此結果亦代表，在尺寸微縮下，由化學機械平坦化的銅墊凹陷量需更嚴格
少。此結果亦代表，在尺寸微縮下，由化學機械平坦化的銅墊凹陷量需更嚴格
的控制。若銅墊的膨脹量不足以填補 CMP 形成的凹陷，則可能導致接合失敗。
的控制。若銅墊的膨脹量不足以填補 CMP 形成的凹陷，則可能導致接合失敗。
因此，當異質接合間距持續縮小，CMP 的製程窗口將變得更窄，影響良率。
因此，當異質接合間距持續縮小，CMP 的製程窗口將變得更窄，影響良率。
電路板季刊 2025.4
專業技術 43

圖三、不同尺寸之銅墊由室溫量測至200℃之表面形貌演進圖 [3]。
圖 三、不同尺寸之銅墊由室溫量測至 200°C 之表面形貌演進圖 [3]。
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圖 三、不同尺寸之銅墊由室溫量測至 200°C 之表面形貌演進圖 [3]。
三
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圖 四、不同尺寸之銅墊在 200°C 下的表面膨脹曲線圖 [3]。
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圖 四、不同尺寸之銅墊在 200°C 下的表面膨脹曲線圖 [3]。
圖 圖 四、不同尺寸之銅墊在200℃下的表面膨脹曲線圖 [3]。
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結 結論
結 結論
論
論
ഐሞ

本研究利用臨場升溫原子力顯微鏡成功測量不同尺寸銅墊的熱膨脹行為，此為首
次研究透過直接量測的分析取得真實的熱膨脹量。結果顯示銅墊的膨脹量隨尺寸縮小